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產(chǎn)品說(shuō)明:Sub-GHz 無(wú)線微控制器 單核 Arm Cortex-M0+
封裝:VFQFN-32產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 56A(Tc) 388W(Tc) TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:高壓電流檢測(cè)放大器,帶漏極開(kāi)路比較器和反射器
封裝:8-SOIC產(chǎn)品說(shuō)明:微控制器 IC 32-位 160MHz 128KB(128K x 8) 閃存 48-UFQFPN
封裝:48-UFQFN產(chǎn)品說(shuō)明:微控制器 IC 32-位 80MHz 128KB(128K x 8) 閃存 36-WLCSP
封裝:WLCSP-36產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 313W(Tc) TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:高帶寬 (50 MHz) 低偏移 (200 μV) 軌至軌 5 V 運(yùn)算放大器
封裝:14-SOIC產(chǎn)品說(shuō)明:600 V 三相無(wú)刷直流控制器,帶嵌入式 STM32 MCU
封裝:72-VFQFN產(chǎn)品說(shuō)明:高帶寬 (50 MHz) 低偏移 (200 μV) 軌至軌 5 V 運(yùn)算放大器
封裝:14-SOIC產(chǎn)品說(shuō)明:ARM? Cortex?-M7 - 微控制器 IC 32 位雙核 300MHz 2MB(2M x 8) 閃存 176-eLQFP(24x24)
封裝:176-LQFP產(chǎn)品說(shuō)明:汽車(chē)級(jí)碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 20 mΩ,55 A采用 HiP247-4 封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:電流檢測(cè) 放大器 1 電路 單端 SC-70-6
封裝:SC70-6產(chǎn)品說(shuō)明:電流檢測(cè) 放大器 1 電路 單端 10-QFN(1.8x1.4)
封裝:10-WFQFN產(chǎn)品說(shuō)明:電流檢測(cè) 放大器 1 電路 單端 SC-70-6
封裝:SC70-6產(chǎn)品說(shuō)明:斷路器(零漂移) 放大器 1 電路 單端,軌至軌 SOT-23-5
封裝:SOT-23-5產(chǎn)品說(shuō)明:斷路器(零漂移) 放大器 1 電路 單端,軌至軌 SOT-23-5
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