商品名稱:NCV78723MW5R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV78723MW5R2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:24-VQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV78723MW5R2G 是一款單芯片、高效降壓型雙 LED 驅動器,設計用于汽車前部照明應用,如遠光燈、近光燈、DRL(日間行車燈)、轉向指示燈、霧燈、靜態(tài)轉彎燈等。
NCV78723MW5R2G 特別針對大電流 LED 而設計,為驅動高達 60 V 的 2 個 LED 串提供了完整的解決方案。
產(chǎn)品特性
單芯片
降壓拓撲結構
2 個高達 60 V 的 LED 串
每個輸出高達 1.6 A DC 的高電流能力
整體效率高
外部元件最少
集成式高精度電流檢測
集成開關模式降壓電流調節(jié)器
通過 LED 實現(xiàn)平均電流調節(jié)
工作頻率高,可減小電感器尺寸
用于 LED 開關和調光的低 EMC 輻射
用于動態(tài)控制系統(tǒng)參數(shù)的 SPI 接口
故障安全操作 (FSO) 模式、獨立模式
典型應用
遠光燈
近光燈
近光燈
位置燈或駐車燈
轉向指示燈
霧燈
靜態(tài)彎道指示燈
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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