商品名稱：PIC32CM2532JH01064T-I/PT
數據手冊：
PIC32CM2532JH01064T-I/PT.pdf
品牌：Microchip
年份：23+
封裝：TQFP
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
PIC32CM2532JH01064T-I/PT 32位MCU是基于SAM C21系列Arm? Cortex?-M0+的MCU。具有常用特性，擴展內存選項高達512KB閃存，64KB用于需要功能安全、增強型觸摸或安防的設計。該器件提供32至100引腳封裝選項。該MCU的引腳與采用32引腳、48引腳和64引腳封裝的SAM C21系列兼容。該功能為現有設計提供升級路徑，或為設計提供可擴展解決方案。
特征
● 閃存和SRAM上均具有故障注入功能的ECC
● 內存內置自檢 (mBIST)，用于SRAM
● 許多串行通信接口上環(huán)回
● 時鐘故障檢測 (CFD)
● 基于硬件的循環(huán)冗余校驗 (CRC)
● 內存保護單元 (MPU)
● 外設訪問控制器 (PAC)
● 增強型電容式觸摸
應用
● 汽車
● 車門模塊
● 艙內電容式觸摸
● 座椅控制
● 車載診斷 (OBD)
● 傳感器節(jié)點
● ISELED? 協議照明
● 車身電子產品
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB（4M x 8） 閃存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
LFQFP-100
1300
M16C/60 M16C? M16C/60/65 微控制器 IC 16 位 32MHz 768KB (768K x 8) FLASH 100-LFQFP (14x14)
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商，為全球數以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關注嵌入控制半導體產品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網 (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網交換機，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內容感知處理器（VCAP）技術…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網 (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…
APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程，實現低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡，使其與其他 IGBT 技術相比，具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900…
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT，主要應用于功率控制領域?；緟礗GBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A…
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，具有FLANGE MOUNT結構，適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數APT50GN60BDQ2G的主要參數如下：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（…電話咨詢：86-755-83294757
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