NTMFD5C650NLT1G 是一款功率 MOSFET 40 V、3 m、107 A、單 N 溝道晶體管

產品屬性

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss)：40 V

電流 - 25°C 時的連續(xù)漏極 (Id)：23A (Ta)，107A (Tc)

驅動電壓（最大 Rds 導通，最小 Rds 導通）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：3mOhm @ 40A，10V

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Id：2V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：2100 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.3W (Ta)，68W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：表面貼裝

特點

占用空間小（3.3x3.3 毫米），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅動器損耗降至最低

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范

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