NVMFD5C446NWFT1G是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項(xiàng)，可提高設(shè)計(jì)靈活性。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），127A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.9 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：38nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2450pF @ 25V

功率 - 最大值：3.2W（Ta），89W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道）

應(yīng)用

● ORing

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負(fù)載開關(guān)

● 電池管理

● 高端計(jì)算

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