全新系列的 NTH4L070N120M3S  1200V M3S平面型EliteSiC MOSFET，優(yōu)化用于快速開關應用。平面工藝在負柵極驅動電壓和柵極上的關斷尖峰下都能夠可靠運行。EliteSiC碳化硅系列在用18V柵極驅動時能提供最佳性能，但同樣適用15V柵極驅動。

產(chǎn)品屬性

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: SiC

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4L

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 37 A

Rds On-漏源導通電阻: 91 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.4 V

Qg-柵極電荷: 49 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 252 W

通道模式: Enhancement

系列: NTH4L070N120M3S

配置: Single

下降時間: 11 ns

正向跨導 - 最小值: 9 S

上升時間: 12 ns

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間:10 ns

典型應用

太陽能逆變器

電動汽車充電站

不間斷電源（UPS）

儲能系統(tǒng)

SMPS（開關模式電源）

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