IPTG210N25NM3FD 3 N溝道MOSFET采用SuperSO8無(wú)引線封裝，具有低導(dǎo)通電阻。在工業(yè)、消費(fèi)和電信應(yīng)用中將功率密度提高到50%。采用40V、60V和80V N溝道MOSFET，采用SuperSO8和熱縮SuperSO8 (S3O8) 封裝。與標(biāo)準(zhǔn)晶體管外形 (TO) 封裝相比，將功率密度提高了50%。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.7A（Ta），77A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 69A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 267μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：7000 pF @ 125 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOG-8-1

封裝/外殼：8-PowerSMD，鷗翼

應(yīng)用

● 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)

● 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器

● 逆變器

● 計(jì)算

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