BUK7Y1R7-40HX 符合汽車行業(yè)標準的N溝道MOSFET采用最新的Trench 9低電阻超級結(jié)技術(shù)，采用堅固耐用的LFPAK56封裝。該產(chǎn)品經(jīng)過全面設計和認證，符合AEC-Q101要求，可提供高性能和耐用性。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6142 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：294W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

基本產(chǎn)品編號：BUK7Y1

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