NTMFD6H846NLT1G 80V、15mOhm、31A MOSFET - 功率、雙通道、N通道晶體管

產(chǎn)品屬性

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

配置 2 N-通道（雙）  

漏源電壓（Vdss） 80V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 9，4A（Ta），31A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 15 毫歐 @ 5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 21μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 17nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 900pF @ 40V  

功率 - 最大值 3，2W（Ta），34W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-PowerTDFN  

供應商器件封裝 8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道） 

特性

- 小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設計

- 低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

- 低 QG 和電容，可將驅(qū)動器損耗降至最低

- 這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

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