2EDL8033G4C 設計用于驅動半橋配置中的高端和低端MOSFET。浮動高端驅動器能夠驅動工作電壓高達120 V的高端MOSFET。高端偏置電壓是利用集成自舉二極管的自舉技術產(chǎn)生的。驅動器的輸入為TTL邏輯兼容，可承受-10 V至20 V的輸入共模擺幅。獨立輸入允許獨立控制高端和低端域。

規(guī)格

驅動配置：半橋

通道類型：獨立式

驅動器數(shù)：2

柵極類型：N 溝道 MOSFET

電壓 - 供電：8V ~ 17V

邏輯電壓 - VIL，VIH：-

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：3A，6A

輸入類型：非反相

高壓側電壓 - 最大值（自舉）：120 V

上升/下降時間（典型值）：4.6ns，3.3ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：10-VDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：PG-VDSON-10-2

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