FFSH20120ADN-F085安森美半導(dǎo)體1200V碳化硅 (SiC) 肖特基二極管與硅器件相比，具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些碳化硅肖特基二極管無反向恢復(fù)電流，并具有溫度獨(dú)立的開關(guān)特性及出色的熱性能。該器件可實(shí)現(xiàn)如下系統(tǒng)優(yōu)勢：提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)：15A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V

不同 Vr、F 時電容：612pF @ 1V，100kHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

應(yīng)用

● 汽車 HEV-EV 車載充電器

● 汽車 HEV-EV DC-DC 轉(zhuǎn)換器

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