商品名稱:S6E2HG4G0AGV2000M
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:120-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
S6E2HG4G0AGV2000M是高度集成的 32 位微控制器,具有高性能和極具競爭力的成本?;?ARM Cortex-M4F 處理器,帶有片上閃存和 SRAM。該系列具有以下外設功能電機控制定時器、ADC 和通信接口(CAN、UART、CSIO、I2C、LIN)。
產品屬性
核心處理器:ARM? Cortex?-M4F
內核規(guī)格:32-位
速度:160MHz
連接能力:CANbus,CSIO,EBI/EMI,I2C,LINbus,SD,SPI,UART/USART
外設:DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數:100
程序存儲容量:288KB(288K x 8)
程序存儲器類型:閃存
RAM 大小:32K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V
數據轉換器:A/D 24x12b SAR; D/A 2x12b
振蕩器類型:外部,內部
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:120-LQFP
供應商器件封裝:120-LQFP(16x16)
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術的優(yōu)勢為基礎,能夠加速系統設計,實現成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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