IGLD60R190D1S氮化鎵 HEMT 采用小尺寸 SMD 封裝，適用于需要無散熱器緊湊型器件的應用。CoolGaN? 600 V 系列氮化鎵器件通過了全面的氮化鎵定制認證，遠遠超出了現(xiàn)有標準。PG-LSON-8 封裝是一種無引線 SMD 封裝，專為要求最高效率和功率密度的消費類 SMPS 和高密度充電器而設計。

這種扁平封裝具有 8x8mm2 的小尺寸。該封裝尺寸具有增強的熱阻，結合其基準低寄生電感，可在功率密度驅動的設計中作為縮小系統(tǒng)解決方案尺寸的一種新的有效方法。

特征描述

具有增強熱阻的小尺寸 GaN HEMT，適合功率密度驅動設計中的最佳系統(tǒng)解決方案尺寸

CoolGaN? 600V 系列，GaN 定制資格認證

優(yōu)勢

提高系統(tǒng)效率

提高功率密度

實現(xiàn)更高的工作頻率

降低系統(tǒng)成本

減少電磁干擾

潛在應用

低功耗 SMPS

充電器/適配器

基于半橋拓撲結構的消費類 SMPS（用于硬開關和軟開關的半橋拓撲結構，如圖騰柱 PFC、高頻 LLC）。

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