商品名稱(chēng):IM111X6Q1B
數(shù)據(jù)手冊(cè):IM111X6Q1B.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:39-PowerVQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IM111X6Q1B 是一款 H 橋集成電源模塊 (IPM),專(zhuān)為先進(jìn)的家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款先進(jìn)的低矮型 IPM 采用小型 12x10mm QFN 封裝,結(jié)合了英飛凌的低 RDS(ON) CoolMOS ? 技術(shù)和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的高壓耐用驅(qū)動(dòng)器。
功能概述
集成柵極驅(qū)動(dòng)器和自舉功能
過(guò)流保護(hù)和故障報(bào)告
低 0.28Ω RDS(導(dǎo)通)、600V CoolMOS? 電壓
雙通道欠壓鎖定
擊穿保護(hù)
所有通道的傳播延遲匹配
針對(duì)損耗和 EMI 權(quán)衡優(yōu)化的 dv/dt
高級(jí)輸入濾波器
兼容 3.3V 輸入邏輯
電機(jī)功率范圍 80-200W
最低 1500VRMS 隔離度
潛在應(yīng)用
線性冰箱壓縮機(jī)
高效單相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
直流-交流變頻器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊(0.846",21.48mm)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類(lèi)型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶(hù)提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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