IPDD60R075CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓撲結(jié)構(gòu)，采用高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動汽車充電站。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 11.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 570μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2102 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：266W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-10-1

封裝/外殼：10-PowerSOP 模塊

應(yīng)用

● 服務(wù)器

● 電信

● EV充電

● SMPS

● PC電源

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