ADL9005ACPZN是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為0.01至26.5 GHz。ADL9005在0.01 GHz至14 GHz范圍內(nèi)提供17.5 dB的典型增益，在14 GHz至20 GHz范圍內(nèi)具有正增益斜率，在0.01 GHz至20 GHz的1 dB壓縮(OP1dB)，典型輸出功率為13.5 dBm，在0.01 GHz到14 GHz范圍內(nèi)的典型噪聲指數(shù)為2.5 dB，在0.01 GHz到14 GHz范圍內(nèi)的典型輸出三階交調(diào)點(OIP3)為26 dBm，采用5 V電源供電功耗僅80 mA。高達16 dBm的飽和輸出功率(PSAT)使低噪聲放大器(LNA)可用作ADI公司眾多平衡同相/正交(I/Q)或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。ADL9005還具有內(nèi)部匹配50 ? 的輸入和輸出(I/O)，非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

ADL9005ACPZN采用符合RoHS標準的4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

屬性

頻率： 10MHz ~ 26.5GHz  

P1dB： 13.5dBm  

增益：19dB  

噪聲系數(shù)： 4dB  

射頻類型： 通用  

電壓 - 供電： 3V ~ 6V  

電流 - 供電： 80mA  

測試頻率： 10MHz ~ 20GHz  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-WFQFN 裸露焊盤，CSP  

供應商器件封裝： 24-LFCSP（4x4）

應用

測試儀器儀表

軍事

通信

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