商品名稱：LC898129DP1XHTBG
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
LC898129DP1XHTBG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：WLCSP40
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：2300 件
LC898129DP1XHTBG 是一款系統(tǒng) LSI，集成了片上 32 位 DSP、FLASH ROM 和外設(shè)，包括用于 OIS（光學(xué)防抖）/閉環(huán)-AF（自動(dòng)對(duì)焦）控制和驅(qū)動(dòng)器的模擬電路。
產(chǎn)品屬性
類型：AF 控制 LSI
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：40-XFBGA，WLCSP
供應(yīng)商器件封裝：40-WLCSP（1.6x4.15）
應(yīng)用
OIS 攝像頭模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HTSS0P-28
50000
具有電流調(diào)節(jié)和 PWM 控制功能的 45V、2.5A 雙極步進(jìn)或兩路 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào)： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
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