商品名稱：NVVR26A120M1WSB
數據手冊：
NVVR26A120M1WSB.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：AHPM15
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
NVVR26A120M1WSB是用于混合動力（HEV）和電動汽車（EV）牽引逆變器應用的碳化硅（SiC）功率模塊系列的一部分。該模塊由兩個采用半橋配置的1200V SiC MOSFET組成。SiC芯片組采用Onsemi的M1 SiC技術，提供高電流密度、強大的短路保護、高阻斷電壓和高工作溫度，在電動汽車牽引應用中提供一流的性能。
特性
?超低RDS（ON）
?氮化鋁隔離器
?超低雜散電感~7.1 NH
?Tvj.Max=175°C（連續(xù)工作）
?汽車級SiC MOSFET芯片技術
?燒結模具技術，實現(xiàn)高可靠性
?汽車模塊符合AQG324標準
?PPAP能力
型號
品牌
封裝
數量
描述
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數據接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
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FGY4L75T120SWD
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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