AFGY100T65SPD場終止型溝槽IGBT符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)通和開關(guān)損耗極低。借助這些特性，可在各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行，具有出色的瞬態(tài)可靠性和低EMI。

安森美半導(dǎo)體AFGY100T65SPD IGBT具有出色的并行運行性能以及均衡的電流共享等優(yōu)勢。此外，AFGY100T65SPD IGBT具有緊密的參數(shù)分布、高輸入阻抗和短路耐受性。

規(guī)格

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3LD

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, + 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 120 A

Pd-功率耗散: 660 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

g工廠包裝數(shù)量:  30

應(yīng)用

HEV/EV牽引逆變器

輔助直流/交流轉(zhuǎn)換器

電機(jī)驅(qū)動器

其他需要大功率開關(guān)的動力傳動系應(yīng)用

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