IMW65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗，并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝，以提供經(jīng)濟(jì)高效的性能。

產(chǎn)品參數(shù)

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.2 V

Qg-柵極電荷:39 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

通道模式:Enhancement

優(yōu)勢(shì)

高性能、高可靠性和易用性

實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率

降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性

減小系統(tǒng)尺寸

適用于具有硬換向事件的拓?fù)?/p>

適用于高溫和惡劣的運(yùn)行條件

實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/p>

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲(chǔ)能和電池信息

UPS

電動(dòng)汽車充電

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。