Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mΩ 的第 4 代 SiC FET。它基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在替換 Si IGBT、Si 超結(jié)器件或 SiC MOSFET 時只需進行最少的重新設(shè)計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，是開關(guān)電感負載和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用的理想之選。

特性

導(dǎo)通電阻 (RDS(on))： 9 mΩ（典型值）

最高工作溫度 175 °C

出色的反向恢復(fù)能力： Qrr = 338 nC

低體二極管 VFSD：1.1 V

低柵極電荷： QG = 75 nC

閾值電壓 VG(th)： 4.5 V（典型值），允許 0 至 15 V 驅(qū)動電壓

應(yīng)用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關(guān)模式電源

功率因數(shù)校正模塊

電機驅(qū)動器

感應(yīng)加熱

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