LMG5200MOFR 器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案。該器件包含兩個(gè) 80V GaN FET，它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

產(chǎn)品屬性：

輸出配置：半橋

應(yīng)用：同步降壓轉(zhuǎn)換器

接口：邏輯

負(fù)載類型：電感

技術(shù)：NMOS

導(dǎo)通電阻（典型值）：15 毫歐 LS，15 毫歐 HS

電流 - 輸出/通道：10A

電流 - 峰值輸出：-

電壓 - 供電：4.75V ~ 5.25V

電壓 - 負(fù)載：80V

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

特性：自舉電路

故障保護(hù)：UVLO

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：9-QFN

供應(yīng)商器件封裝：9-QFN（8x6）

基本產(chǎn)品編號(hào)：LMG5200

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