PWD5F60TR是一款先進的電源系統(tǒng)級封裝，集成了柵極驅(qū)動器和四個 N 溝道功率 MOSFET，采用雙半橋配置。集成功率 MOSFET 的 RDS(ON) 為 1.38 Ω，漏極-源極擊穿電壓為 600 V。擊穿電壓，而嵌入式柵極驅(qū)動器的高壓側(cè)可通過集成的自舉同時，嵌入式柵極驅(qū)動器的高壓側(cè)可由集成自舉二極管輕松供電。該器件的高集成度允許在極小的空間內(nèi)有效地驅(qū)動負載。

功能特點

● 集成了柵極驅(qū)動器和高壓電源的功率系統(tǒng)級封裝MOSFET

● RDS(ON) = 1.38 Ω

● BVDSS = 600 V

● 適合作為

● 全橋

● 雙獨立半橋

● 低壓側(cè)和高壓側(cè)均具有 UVLO 保護功能

● 3.3 V 至 15 V 兼容輸入，帶滯后和下拉功能

● 內(nèi)部自舉二極管

● 非專用比較器

● 可調(diào)死區(qū)時間

● 減少材料清單

● 非常緊湊和簡化的布局

● 設(shè)計靈活、簡便、快速

應(yīng)用

● 工業(yè)風(fēng)扇和泵

● 抽油煙機和燃氣加熱器

● 鼓風(fēng)機

● 工業(yè)驅(qū)動和工廠自動化

● 供電裝置

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