NTTFS015P03P8ZTWG 是一款單 -30V P 溝道 功率MOSFET，具有超低RDS（ON），提高系統(tǒng)效率。該器件采用先進的3.3x3.3mm封裝技術(shù)，可節(jié)省空間并實現(xiàn)出色的導(dǎo)熱。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13.4A（Ta），47.6A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：9.3 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：62.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2706 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.66W（Ta），33.8W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

封裝/外殼：8-PowerWDFN

基本產(chǎn)品編號：NTTFS015

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