STD65N160M9 N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結(jié)MDmesh M9技術(shù)，該技術(shù)適用于單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET?；诠璧腗9技術(shù)采用多漏制造工藝，增強了器件結(jié)構(gòu)。在所有硅基快速開關(guān)超結(jié)功率MOSFET中，運用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻并降低了柵極電荷值，特別適合需要超高功率密度和出色效率的應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：160 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1239 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：106W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：DPAK

封裝/外殼：TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

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