STH310N10F7-6 是一款STripFET? F7系列低壓功率MOSFET（100 V），可實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：180 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12800 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：315W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK-6

封裝/外殼：TO-263-7，D2PAK（6 引線 + 凸片）

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