STB33N60DM6（600V）這款高壓N溝道功率MOSFET是MDMESH?DM6快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與上一代產(chǎn)品相比，DM6將極低的恢復(fù)電荷（Qrr）、恢復(fù)時(shí)間（trr）和單位面積RDS（on）的出色改善與市場(chǎng)上最有效的開關(guān)行為相結(jié)合，適用于要求最高的高效率橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和ZVS相移轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：128毫歐 @ 12.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2PAK）

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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