NVBG1000N170M1 1700V M1 平面 SiC MOSFET 專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。平面技術(shù)能可靠地使用負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在 20V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但在 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)也能很好地工作。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiC（碳化硅結(jié)晶體管）  

漏源電壓（Vdss）： 1700 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 4.3A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） ：20V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.43 歐姆 @ 2A，20V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 640μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 14 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-15V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 150 pF @ 1000 V  

功率耗散（最大值）： 51W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級(jí)： 汽車級(jí)  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： D2PAK-7  

封裝/外殼： TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA  

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