MSC2X31SDA120J碳化硅（SiC）功率肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品系列提高了硅二極管解決方案的性能，同時降低了高壓二極管的總擁有成本。采用 SOT-227 封裝的雙通道 1200 V、30 A SiC SBD 器件。

產(chǎn)品屬性

二極管配置：2 個獨(dú)立式

技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：30A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 30 A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227（ISOTOP?）

應(yīng)用

●功率因數(shù)校正 (PFC)

●反并聯(lián)二極管

●開關(guān)模式電源

●逆變器/轉(zhuǎn)換器

●電機(jī)控制器

●續(xù)流二極管

●開關(guān)模式電源

●逆變器/轉(zhuǎn)換器

●緩沖器/鉗位二極管

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