UJ4C075023L8SSB 是一款 750V、23mohm G4 SiC FET。它采用獨特的級聯(lián)電路配置，將一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。

特點

導通電阻 RDS（on）： 23 歐姆（典型值）

工作溫度 175℃（最高）

出色的反向恢復： Qrr = 122nC

低體二極管 VFSD：1.23V

低柵極電荷： QG = 37.8nC

閾值電壓 VG(th)： 4.8V（典型值），允許 0 至 15V 驅動電壓

低固有電容

ESD 保護： HBM 等級 2 和 CDM 等級 C3

TOLL 封裝，開關速度更快，柵極波形更清晰

典型應用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關模式電源

功率因數(shù)校正模塊

電機驅動

感應加熱

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