SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來提高性能。這些SiC肖特基二極管在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，簡(jiǎn)化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。

器件：GHXS045A120S-D3

類型：SiC肖特基二極管模塊

器件參數(shù)

二極管配置：2 個(gè)獨(dú)立式

技術(shù)：SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：45A

不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 45 A

速度：快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：300 μA @ 1200 V

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227

基本產(chǎn)品編號(hào)：GHXS045

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