S26KS512SDABHN030 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存設備，具有 HYPERBUS? 低信號計數(shù) DDR 接口，可實現(xiàn)高速讀取吞吐量。
功能特點
3.0V 輸入/輸出，11 個總線信號
單端時鐘
1.8VI/O, 12 個總線信號
-差分時鐘（CK、CK#）
芯片選擇 (CS#)
8 位數(shù)據(jù)總線 (DQ[7:0])
讀寫數(shù)據(jù)選通（RWDS）
HYPERFLASHTM 存儲器僅將 RWDS 用作讀數(shù)據(jù)選通
DDR：每個時鐘兩次數(shù)據(jù)傳輸
1.8VVcc 時的 166-MHz 時鐘速率（333 MBps）
96-ns 初始隨機讀取訪問時間
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領先的基準技術，完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機驅動器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性：N 溝道通道數(shù)：1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓：250 VId…
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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