NVMFS6H800NT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側(cè)翼選項。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應用。

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：28A（Ta），203A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.1 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 330μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 85 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 5530 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），200W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型：表面貼裝型  

供應商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線 

應用

開關電源

電源開關（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

48V 系統(tǒng)

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