AIMZA75R027M1H SiC溝槽式MOSFET可幫助電動汽車制造商構(gòu)建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW雙向車載充電器。這些器件可在高溫 (TJ 最高+175°C）下可靠工作，采用英飛凌的專有技術(shù)。XT芯片連接技術(shù)，可實現(xiàn)同類芯片尺寸中最佳的熱阻。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：25mOhm @ 24.5A, 20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 8.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1668 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：234W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

車載充電器

汽車用HV-LV直流-直流轉(zhuǎn)換器

汽車用靜態(tài)開關(guān)（eFuse、BMS）

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