IMBG120R116M2H采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝的 CoolSiC? MOSFET 1200 V、116 mΩ G2 在第 1 代技術優(yōu)勢的基礎上，加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設計。第 2 代產品在硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。

特性概述

在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時，RDS(on) = 115.7 mΩ

開關損耗極低

過載工作溫度高達 Tvj = 200°C

短路耐受時間 2 μs

基準柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.2 V

可防止寄生導通，可采用 0 V 關斷柵極電壓

堅固的體二極管可實現硬換向

采用 .XT 互連技術，具有同類最佳的散熱性能

優(yōu)勢

能效更高

冷卻優(yōu)化

功率密度更高

新的堅固性功能

高度可靠

應用

電動汽車充電

工業(yè)電機驅動和控制

光伏

不間斷電源 (UPS)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。