單N溝道晶體管NTMJS1D4N06CLTWG功率MOSFET 8-LFPAK晶體管

產(chǎn)品描述

NTMJS1D4N06CLTWG是MOSFET–功率，60V，262A單N溝道晶體管，封裝為8-LFPAK，表面安裝。

產(chǎn)品屬性

晶體管極性：N通道

通道數(shù)量：1個通道

Vds-漏極-源極擊穿電壓：60 V

Id-連續(xù)漏極電流：262 A

Rds開-漏極-源極電阻：1.3毫歐姆

Vgs-柵極-源極電壓：-20 V，+20 V

Vgs th-柵極-源極閾值電壓：2 V

Qg-柵極電荷：103 nC

最低工作溫度：-55攝氏度

最高工作溫度：+175攝氏度

Pd-功耗：180 W

特征

占地面積?。?x6 mm），設(shè)計緊湊

低RDS（打開）以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗

低QG和電容，最大限度地減少驅(qū)動器損耗

LFPAK8封裝，行業(yè)標準

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