IQE057N10NM6CG是OptiMOSTM6 功率晶體管，電壓100V。

產(chǎn)品種類: MOSFET   

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TTFN-9  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.7 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.3 V  

Qg-柵極電荷: 26 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 125 W  

通道模式: Enhancement    

下降時間: 4.6 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 1.9 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns  

典型接通延遲時間: 5.6 ns 

特性

?N 通道，正常電平

?極低的開電阻 RDS（導(dǎo)通）

?卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品（FOM

?極低反向恢復(fù)電荷（Qrr）

?高雪崩能級

?175°C 工作溫度

?優(yōu)化用于高頻開關(guān)和同步校正

?無鉛鍍層；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

?無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

?根據(jù) J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn)，已通過MSL1 級認(rèn)證

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