FF6MR12KM1PHOSA1 62 mm 1200 V, 6 mΩ半橋模塊，采用CoolSiC? MOSFET芯片，預(yù)涂熱界面材料。

產(chǎn)品參數(shù)

技術(shù)： 碳化硅（SiC）  

配置： 2 個(gè) N 通道（半橋）  

FET 功能： -  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 250A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 5.81 毫歐 @ 250A，15V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.15V @ 80mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 496nC @ 15V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 14700pF @ 800V  

功率 - 最大值： -  

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼： 模塊  

供應(yīng)商器件封裝： AG-62MM

特征描述

出色的柵極氧化物可靠性

可靠性強(qiáng)大的抗潮濕能力

集成一體化二極管設(shè)計(jì)，堅(jiān)固耐用并具有最佳熱性能

強(qiáng)大的抗宇宙輻射線能力

高開關(guān)速度、損耗極低

模塊上下橋臂開關(guān)具有對稱的開關(guān)特性

在成熟的62mm標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)工藝大規(guī)模產(chǎn)線上生產(chǎn)，保證了CoolSiC? MOSFET模塊產(chǎn)品質(zhì)量一致性，非?？煽?。

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