商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
AIMDQ75R040M1H 是一款高度堅(jiān)固的 SiC MOSFET 晶體管,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。它在性能、可靠性和堅(jiān)固性方面都具有優(yōu)勢(shì),并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了極高的效率和功率密度,并具有成本效益。
產(chǎn)品特性
高度穩(wěn)健的 750 V 技術(shù)
同類最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
同時(shí)具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth
100% 經(jīng)過雪崩測(cè)試
.XT 互連技術(shù),具有同類最佳的散熱性能
尖端的頂部冷卻封裝
應(yīng)用
用于電動(dòng)汽車的高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車車載電池充電器 (OBC)
AIMDQ75R040M1H - 封裝大綱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…1ED3144MC12H
1ED3144MC12H是一款高性能電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,由 Infineon 生產(chǎn)推出,設(shè)計(jì)目的是驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。1ED3144MC12H的典型輸出電流高達(dá)6.5A。輸入邏輯引腳在3V至6.5V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,其采用CMOS閾值電平,支持3.3V微控制器。1ED3144MC12H具有以下主…1ED3143MC12H
1ED3143MC12H是一款EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具備6.5 A灌電流和6 A拉電流的峰值輸出能力,采用8引腳寬體LDSO封裝,適用于 IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件的主要特性包括:支持高達(dá)2300 V的IGBT、硅(Si)和碳化硅(SiC)開關(guān)功能偏置電壓:2300 V采用…1ED3142MC12H
1ED3142MC12H是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具備6.5 A灌電流和6 A拉電流的峰值輸出能力,其采用8引腳寬體LDSO封裝,適用于 IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。特征描述支持高達(dá)2300 V的IGBT、硅(Si)和碳化硅(SiC)開關(guān)功能偏置電壓:2300 V采用電氣隔離的無芯變壓器技術(shù)典型峰…1ED3141MC12H
1ED3141MC12H EiceDRIVER? X3緊湊型IC是高性能電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)目的是驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。1ED3141MC12H的典型輸出電流高達(dá)6.5A。輸入邏輯引腳在3V至6.5V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,采用CMOS閾值電平,支持3.3V微控制器。特征描述支持高達(dá)2300 V的I…1ED2147S65F
1ED2147S65F是一款設(shè)計(jì)用于為高壓功率晶體管提供穩(wěn)健高效的控制的650V高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC。該產(chǎn)品的主要特性包括集成自舉二極管、快速開關(guān)能力,以及全面的保護(hù)機(jī)制,如欠壓閉鎖 (UVLO) 和過電流保護(hù)。基本參數(shù)和特點(diǎn)英飛凌薄膜SOI技術(shù)最大阻斷電壓:+650V輸出拉/灌電流:…電話咨詢:86-755-83294757
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