IAUC60N04S6N050H—OptiMOS? 6功率MOSFET是先進的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù)，顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對同步整流進行了優(yōu)化。

功能特點

? OptiMOS? - 用于汽車應用的功率 MOSFET

? 半橋 - N 溝道 - 增強模式 - 正常電平

? 通過 AEC Q101 認證

? MSL1 峰值回流溫度高達 260°C

? 175°C 工作溫度

? 綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）

? 100% 通過雪崩測試

規(guī)格

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 74 A

Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 13 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

下降時間: 3 ns

上升時間: 1 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 6 ns

典型接通延遲時間: 3 ns

應用領(lǐng)域

車門控制

車身電子和照明

分散式前車燈模塊

汽車車身控制模塊 (BCM)

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