SUPERFET III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于最大限度地減少各種電源系統(tǒng)，提高系統(tǒng)效率。

NTD360N65S3H器件規(guī)格

制造商： onsemi  

系列： SuperFET? III  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 10A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 360 毫歐 @ 5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 700μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 17.5 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 916 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 83W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： TO-252（DPAK）  

封裝/外殼： TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63 

特性

? 700 V @ TJ = 150°C

? 典型值 RDS(on) = 296 m

? 超低柵極電荷（典型值 Qg = 17.5 nC）

? 低有效輸出電容（Typ. Coss(eff.) = 180 pF）

? 100% 通過雪崩測試

? 這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用

? 計算/顯示器電源

? 電信/服務(wù)器電源

? 工業(yè)電源

? 照明/充電器/適配器

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