CY15V102QN-50PZXI 是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 2Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。存儲器陣列的邏輯結(jié)構(gòu)為 262,144 × 8 位，使用行業(yè)標準 SPI 總線進行訪問。F-RAM 的功能操作類似于串行閃存和串行 EEPROM。

CY15V102QN-50PZXI - 2Mb、1.8V、50MHz 串行鐵電 RAM (F-RAM) 存儲器 IC，采用 PG-DIP-8 封裝

存儲器類型 非易失  

存儲器格式 FRAM  

技術(shù) FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量 2Mb  

存儲器組織 256K x 8  

存儲器接口 SPI  

時鐘頻率 50 MHz  

訪問時間 8 ns  

電壓 - 供電 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型 通孔  

封裝/外殼 8-DIP（0.300"，7.62mm）  

供應(yīng)商器件封裝 8-PDIP 

關(guān)鍵特性 

- 2Mb 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 256K × 8

- 快速 SPI - 頻率高達 50 MHz

- 專用的 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM 

- 低功耗

- 40 MHz 時 2.4 mA（典型值）有效電流

- 2.3 μA（典型值）待機電流

- 0.70 μA（典型值）深度掉電模式電流

- 0.1 μA（典型值）休眠模式電流

- 低壓工作 - VDD = 1.71 V 至 1.89 V

- 工業(yè)工作溫度：-40°C 至 +85°C

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