IPP022N12NM6 - 120V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 TO-220-3 封裝

IPP022N12NM6 - 產(chǎn)品描述：

IPP022N12NM6 是一款普通級(jí) 120V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管，采用 TO-220-3 封裝，導(dǎo)通電阻為 2.2 mOhm。

IPP022N12NM6 - 產(chǎn)品屬性：

技術(shù)： 硅  

安裝方式：通孔  

封裝/外殼：TO-220-3  

晶體管極性：N 溝道  

通道數(shù)：1 通道  

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：120 V  

Id - 持續(xù)漏極電流：203 A  

Rds On - 漏極-源極電阻：2.6 mOhms  

Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V  

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3.1 V  

Qg - 柵極電荷： 113 nC  

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ) 

Pd - 功率耗散： 395 W  

通道模式： 增強(qiáng)  

配置：?jiǎn)瓮ǖ?nbsp; 

下降時(shí)間：23.6 毫微秒  

產(chǎn)品類型：MOSFET  

上升時(shí)間：22.7 毫微秒  

晶體管類型：1 N 溝道  

典型關(guān)斷延遲時(shí)間：41.8 ns  

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：22.3 ns 

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