NTBL060N065SC1 650V碳化硅(SiC) MOSFET采用全新技術(shù)，與硅相比，可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。

NTBL060N065SC1的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：11 ns

Id-連續(xù)漏極電流：46 A

最大工作溫度：+ 170°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：SO-8

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

Pd-功率耗散：170 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：74 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：70 mOhms

上升時(shí)間：14 ns

系列：NTBL060N065SC1

工廠包裝數(shù)量：2000

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

商標(biāo)名：EliteSiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns

典型接通延遲時(shí)間：11 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22.6 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V

典型應(yīng)用：

SMPS(開關(guān)模式電源)

太陽能逆變器

UPS(不間斷電源)

能量儲(chǔ)存

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。