MSC080SMA120SDT是1200V、43A碳化硅MOSFET，采用TO-263-7封裝，具有低電容和低柵極電荷。Microchip SiC解決方案專注于高性能，有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率，并最小化系統(tǒng)重量和尺寸。

MSC080SMA120SDT的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：12 ns

Id-連續(xù)漏極電流：43 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-263-7

Pd-功率耗散：268 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：64 nC

Rds On-漏源導通電阻：100 mOhms

上升時間：10 ns

工廠包裝數(shù)量：800

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns

典型接通延遲時間：13 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5 V

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