MD13HTC75P6HE 750V/1.25mΩ SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS（導通）和優(yōu)化的本征二極管。
MD13HTC75P6HE參數：
封裝：P6
額定電流：-
芯片類型：SIC
額定電壓：750V
電路結構：Sixpack/六單元
特征：PINFIN基板
MD13HTC75P6HE特點
? SiC 功率 MOSFET
? 低 RDS（導通）
? 經過優(yōu)化的本征反向二極管
? 低電感情況下避免振蕩
? 采用 Si3N4 AMB 技術的隔離式銅針腳基板
MD13HTC75P6HE典型應用
? 汽車應用
? 混合動力和電動汽車
? 電機驅動用逆變器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產及銷售服務，是目前國內功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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ID05FFX60U5SS
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DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG75H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數 VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…
DG50H12T2
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DG40H12T2
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ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V，50A 緊湊型 - IPM 模塊，U3封裝ID50FFX60U3S- 產品規(guī)格：型號：ID50FFX60U3S（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U3額定電壓：600V額定電流：50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ：1.70V芯片類型：Trench-FS Gen1電路結構：Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產品…電話咨詢：86-755-83294757
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