AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E: Hyperlux、2.1 μm、830 萬像素、1/1.8 英寸 CMOS 數字圖像傳感器
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 產品介紹:
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E 是一款 1/1.8 英寸 CMOS 數字圖像傳感器,采用 3840 H x 2160 V 有源像素陣列。這款先進的汽車傳感器可捕捉高動態(tài)范圍 (HDR) 的圖像,并具有 LED 閃爍減緩 (LFM)。AR0823AT 通過一個 2.1 μm 的超級曝光像素,能夠在每幀圖像中捕捉弱光和極亮照明。該像素無需自動曝光調整,即可實現高達 150 dB 的動態(tài)范圍。這大大降低了依賴場景的關鍵汽車系統的延遲,從而實現更快、更安全的數據收集和決策。
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 產品特性:
支持全分辨率 150 dB HDR+LFM
具有超級曝光 HDR+LFM 模式的高性能 2.1 μm BSI 像素
在 SE 模式下以高達 60 fps 的速度拍攝 3840 x 2160 圖像
雙輸出數據通路,支持多功能系統
實時功能安全機制和幀末故障報告
AEC-Q100 2 級
按照 ASIL-D 流程設計
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 應用:
汽車前置攝像頭 (ADAS)
后視鏡更換 (CMS)
ADAS + 視像融合
HDR 成像
環(huán)視 + 感知
車內監(jiān)控
型號
品牌
封裝
數量
描述
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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