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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IMBG65R163M1H

商品名稱:IMBG65R163M1H

數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R163M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMBG65R163M1H
封裝
TO-263-7
描述
SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

產(chǎn)品描述

IMBG65R163M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強(qiáng)可靠性。


IMBG65R163M1H 產(chǎn)品規(guī)格

ET 類型: N 通道  

技術(shù): SiCFET(碳化硅)  

漏源電壓(Vdss): 650 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :17A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 217 毫歐 @ 5.7A,18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.7V @ 1.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):10 nC @ 18 V

Vgs(最大值): +23V,-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):320 pF @ 400 V

FET 功能: -  

功率耗散(最大值): 85W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12  

封裝/外殼: TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號(hào):IMBG65R


潛在應(yīng)用

? 電信服務(wù)器SMPS

? UPS(不間斷電源)

? 太陽能光伏逆變器

? 電動(dòng)充電基礎(chǔ)設(shè)施

? 儲(chǔ)能和電池成型

? 類阻尼放大器

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

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D3PAK-3

2000

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IXSH40N120L2KHV

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TO-247-4L

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1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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