GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，如獲得專利的 Island Technology? 單元布局，實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性結合在一起，可提供極高效率的功率開關。

應用

電源適配器

LED照明驅動器

電池充電快

功率因數(shù)校正

工業(yè)電源

光伏

電信基礎設施用交流-直流電源轉換

數(shù)據(jù)中心和計算解決方案

電器和工業(yè)電機驅動器

無線功率傳輸

GS-065-011-6-L-MR產品屬性：

FET 類型： N 通道  

技術：GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：12.2A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 180 毫歐 @ 3.2A，6V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 2.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 2.2 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 70 pF @ 400 V  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 8-PDFN（5x6）  

封裝/外殼： 8-PowerVDFN 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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