IMBG120R045M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 45 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術相結合，可在電機驅動、充電模塊以及工業(yè)電源等應用中實現(xiàn)最高效率和被動制冷。

產品屬性

系列： CoolSiC?  

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 47A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 63 毫歐 @ 16A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 7.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 46 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +18V，-15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1527 pF @ 800 V  

FET 功能： 標準  

功率耗散（最大值）： 227W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-TO263-7-12  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產品編號： IMBG120

優(yōu)勢

提高效率

實現(xiàn)更高的工作頻率

增加功率密度

減少冷卻工作

降低系統(tǒng)復雜程度和成本

SMD封裝，無需增設散熱器，即可實現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中

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